ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 120 A 935 W, 4-Pin C

Technische Daten

Betriebstemperatur max.

+150 °Cmm

Betriebstemperatur min.

–40 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

1.6V

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4