Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 4 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 4,6 Ω
- Gehäusegröße
- TO-3PN
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 1500 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
