OSI Optoelectronics UV Fotodiode 254nm Si, THT Flaches Profil-Gehäuse 3-Pin

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 254nm
Gehäusetyp = Flaches Profil
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 3
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = UV-100L
Wellenlänge max. = 254nm
Länge = 24.76mm
Höhe über Panel = 4.826mm
Durchmesser = 25.4mm
Serie = UVKΩ

OSI Optoelectronics bietet zwei verschiedene Familien von UV-verstärkten Silizium-Photodioden an. Inversionskanal-Serie und planare diffuse Serie. Beide Gerätefamilien sind speziell für die rauscharme Detektion im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums konzipiert. Inversionsschichtstruktur UV-verstärkte Photodioden weisen eine 100%-ige interne Quanteneffizienz auf und sind gut geeignet für Lichtmessungen mit geringer Intensität. Sie haben einen hohen Nebenschlusswiderstand, geringes Rauschen und hohe Durchschlagsspannungen. Die Gleichmäßigkeit des Ansprechverhaltens über die Oberfläche und die Quanteneffizienz verbessern sich mit 5 bis 10 Volt angelegter Sperrvorspannung.ProduktanwendungenVerschmutzungsüberwachungMedizintechnische MesstechnikUV-BelichtungsmesserErweiterte RealitätWasseraufbereitungFluoreszenzProduktmerkmaleInversionsreihe: 100 % Interne QEHoher NebenschlusswiderstandAusgezeichnetes UV-Ansprechen