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OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR 970nm Si, THT TO18-Gehäuse 3-Pin

Marke: OSI Optoelectronics

Hersteller Artikel-Nr.: PIN-020A

Produkt-Nr.: P-CDCBJJ

Technische Daten

Anzahl der Pins
3
Diodenmaterial
Si
Durchmesser
5.33mm
Erkennbare Spektren
IR
Gehäusetyp
TO18
Höhe über Panel
0.2Zoll
Montage Typ
THT
Regelanstiegszeit
6ns
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit
970nm
Wellenlänge max.
1100nm

Produktbeschreibung

Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 970nm
Gehäusetyp = TO18
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 3
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 350nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Höhe über Panel = 0.2Zoll
Durchmesser = 5.33mm
Regelanstiegszeit = 6ns

Fotodioden der Serie Photoconductive von OSI. Bei der Serie Photoconductive von OSI Optoelectronics handelt es sich um planare diffuse Silizium-Fotodioden für Anwendungen mit hoher Geschwindigkeit und hoher Empfindlichkeit. Durch ihren Spektralbereich (350–1100 nm) ist die Photoconductive-Serie geeignet für sichtbare Anwendungen und Anwendungen nahe am IR-Licht. Diese Universalfotodioden eignen sich für Anwendungen wie Impulsdetektoren, Strichcodelesegeräte, optische Fernsteuerungen, optische Kommunikation, medizintechnische Geräte und Lichtstärkemessung mit hoher Geschwindigkeit.. Merkmale der Serie Photoconductive: Hohe Empfindlichkeit Niedrige Kapazität Niedriger Dunkelstrom Großer Dynamikbereich

Produktangebot

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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
Fotodioden
GTIN
5059045256212