OSI Optoelectronics OSD Fotodiode IR 900nm Si, THT TO18-Gehäuse 2-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Pins
- 2
- Diodenmaterial
- Si
- Erkennbare Spektren
- IR
- Gehäusetyp
- TO18
- Höhe über Panel
- 0.2Zoll
- Montage Typ
- THT
- Regelanstiegszeit
- 10ns
- Spitzenphotosensibilität
- 0.54A/W
- Wellenlänge der max. Empfindlichkeit
- 900nm
- Wellenlänge max.
- 1100nm
Produktbeschreibung
Hohe Ansprechgeschwindigkeit Niedrige Kapazität Niedriger Dunkelstrom Großer Dynamikbereich Hohe Empfindlichkeit ANWENDUNGEN Impuls-Detektoren Optische Kommunikation Strichcodelesegerät Optische Fernbedienung Medizintechnische Geräte Hochgeschwindigkeitsphotometrie
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Fotodioden
- GTIN
- 5059045197249