OSI Optoelectronics Fotodiode UV 980nm Si, THT Keramik-Gehäuse 2-Pin

Erkennbare Spektren = UV
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 980nm
Gehäusetyp = Keramik
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 190nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 16.51mm
Breite = 14.99mm
Höhe über Panel = 2.03mm
Spitzenphotosensibilität = 0.5A/W
Polarität = Umgekehrt

Fotodioden der Serie UV Enhanced von OSI. Bei der Serie UV Enhanced von OSI Optoelectronics handelt es sich um eine Serie von Silizium-Fotodioden mit verbesserter UV-Empfindlichkeit. Diese Serie umfasst zwei separate Produktfamilien von Fotodioden: Inversionskanal- und planare diffuse Struktur. Beide Familien sind für rauscharme Erkennung im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums ausgelegt. Die Produktfamilie mit Inversionsschichtstruktur zeigt 100 % interne Quanten-Ausbeute. Mit hohem Shuntwiderstand, rauscharmem Verhalten und hohen Durchschlagsspannungen ist diese Familie von Fotodioden ideal für Lichtmessungen mit niedriger Intensität. Fotodioden mit der planaren diffusen Struktur bieten eine niedrigere Kapazität und höhere Ansprechzeit im Vergleich zur Inversionsschichtfamilie. Sie zeigen außerdem Linearität des Fotostroms bis zu höherer Lichteingangsleistung im Vergleich zu den Inversionsschicht-Fotodioden. Geeignete Anwendungen für die Serie UV Enhanced ist die Überwachung der Verschmutzung, medizintechnische Messtechnik, UV-Belichtungsmesser, Spektroskopie, Wasseraufbereitung und Fluoreszenz.. Merkmale der Serie UV Enhanced: Inversionsschichten oder planare diffuse Silizium-Fotodioden Ausgezeichnetes UV-Ansprechen