OSI Optoelectronics FCI-InGaAs Fotodiode IR 1550nm InGaAs, THT TO-46, to-5-Gehäuse 2-Pin

Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 1550nm
Gehäusetyp = TO-46, to-5
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = InGaAs
Wellenlänge min. = 1100nm
Wellenlänge max. = 1620nm
Höhe über Panel = 3.81mm
Durchmesser = 5.4mm
Serie = FCI-InGaAs

Die Serie FCI-InGaAs-XXX-X mit aktiven Flächen von 1 mm, 1,5 mm und 3 mm gehört zum Programm der IR-Detektoren von OSI Optoelectronics mit großer aktiven Fläche, die eine ausgezeichnete Empfindlichkeit von 1100 nm bis 1620 nm aufweisen und damit für schwache Signale geeignet sind. Diese Geräte mit großer aktiver Fläche sind ideal für den Einsatz in Infrarot-Messgeräten und Überwachungsanwendungen. Die Fotodioden-Chips befinden sich in isolierten TO-46 oder TO-5 Gehäusen mit einem doppelseitigen AR-beschichteten Breitband-Flachfenster. FCI-InGaAs-1500-X und FCI-InGaAs-3000-X werden mit unterschiedlichen Shunt-Widerstandswerten von 5, 10, 20, 30 und 40 MΩ geliefert.Hohe Empfindlichkeit Große aktive Fläche Rauscharm Spektralbereich: 900 nm bis 1700 nm ANWENDUNGEN Optische Messinstrumente Leistungsmessung IR-Erfassung Medizinische Geräte