OSI Optoelectronics FCI-InGaAS Fotodiode 1550nm InGaAs, THT TO8-Gehäuse 8-Pin

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 1550nm
Gehäusetyp = TO8
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 8
Diodenmaterial = InGaAs
Wellenlänge min. = 1100nm
Wellenlänge max. = 1620nm
Fallzeit typ. = 24ns
Länge = 13.97mm
Höhe über Panel = 6.6mm
Durchmesser = 15.24mm
Polarität = Umgekehrtns

OSI InGaAs-Fotodioden für große aktive Flächen. Bei der Serie FCI-InGaAs-xxx-x von OSI Optoelectronics handelt es sich um InGaAs-Fotodioden für große aktive Flächen. Es ist eine Serie von IR-empfindlichen Detektoren, die hohe Empfindlichkeit bieten (1100–1620 nm). Sie haben ein TO-46- oder TO-5-Gehäuse mit einem flachen Fenster. Geeignete Anwendungen für diese Familie von Fotodioden umfassen die IR-Messtechnik, Überwachung, optische Messtechnik, Leistungsmessung, IR-Erfassung und medizinische Geräte.. Leistungsmerkmale: Großer aktiver Bereich: 1 mm, 1,5 mm und 3 mm Hohe Empfindlichkeit Rauscharm Spektralbereich: 900–1700 nm