onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 18 A 38,5 W, 3-Pin TO-220F

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-220F
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 265 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 38,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 45 nC @ 10 Vmm
Höhe = 9.19mm

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann. UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.