onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 61 A 417 W, 3-Pin TO-220AB

Name: onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 61 A 417 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDP61N20

Produkt-Nr.: P-CC5B8F

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 61 A
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 58 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Gehäusegröße: TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 61 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = UniFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 417 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 58 nC @ 10 Vmm
Höhe = 9.4mm

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann. UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.