onsemi UniFET N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 15 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: onsemi UniFET N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 15 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDB15N50

Produkt-Nr.: P-CC4KGX

Technische Daten

Breite: 11.33mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 15 A
Drain-Source-Spannung max.: 500 V
Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Gehäusegröße: D2PAK (TO-263)
Höhe: 4.83mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 15 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = UniFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 11.33mm
Höhe = 4.83mm

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann. UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.