onsemi UltraFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 78 W, 8-Pin WDFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

250V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

258mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

30nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

WDFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

14A