onsemi TIP31BG THT, NPN Transistor 80 V dc / 5 A 1 MHz, TO-220 3-Pin
Technische Daten
- Abmessungen
- 10.53 x 4.83 x 15.75mm
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Arbeitsfrequenz max.
- 1 MHz
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V dc
- DC Kollektorstrom max.
- 5 A
- Gehäusegröße
- TO-220
- Gleichstromverstärkung min.
- 10
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 80 V dc
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 80 V dc
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 5 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 40 W
Gleichstromverstärkung min. = 10
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.53 x 4.83 x 15.75mm
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für den Einsatz in allgemeinen Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert. Die TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN) und TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP) sind ergänzende GeräteCollector-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 1,2 Vdc (max.) bei IC = 3,0 Adc Collector-Emitter Sustaining Voltage -VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - TIP31A, TIP32A =80 Vdc (min) - TIP31B, TIP32B =100 Vdc (min) - TIP31C, TIP32C High Current Gain Bandwidth Produkt fT = 3,0 MHz (min) @ IC = 500 mADC Kompaktes TO-220 AB-Paket
Produktangebot
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045746669