onsemi THT SiC-Schottky Diode, 650V / 60A, 2-Pin TO-247

Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-247
Dauer-Durchlassstrom max. = 60A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 1.4kA

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C Hohe Spitzenstrom-Kapazität Positiver Temperaturkoeffizient Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung Anwendungen PFC Industrielle Stromversorgung Solar EV-Ladegerät UPS Schweißen