onsemi, THT MOSFET Transistor 294 W, 3-Pin TO-220

Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Verlustleistung max. = 294 W
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Dieser N-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced PowerTrench®-Verfahren hergestellt, das auf die Minimierung des Einschaltresistenz bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer überlegenen Schaltleistung zugeschnitten wurde.RDS(on) = 6,85 mΩ ( typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A Schnelle Schaltgeschwindigkeit Niedrige Gatterladung, QG = 64,5 nC (typ.) Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on) Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit Anwendungen AC-DC-Netzteil für Händler - Server und Workstations AC-DC-Netzteil für Händler - Desktop-PC Unterbrechungsfreie Stromversorgung Unterbrechungsfreie Stromversorgung Sonstige Datenverarbeitung Synchrone Rektifizierung für ATX/Server/Telecom PSU Batterieschutzschaltung Motorantriebe Unterbrechungsfreie Stromversorgung Micro Solar Wechselrichter