onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4

Technische Daten

Abmessungen

6.1 Dia. x 8.77mm

Anzahl der Kanäle

1

Anzahl der Pins

2

Dunkelstrom max.

100nA

Durchmesser

6.1mm

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

±12 °

Erkennbare Spektren

IR

Fallzeit typ.

7µs

Gehäusetyp

T1.3/4

Höhe über Panel

8.77mm