onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4
Technische Daten
- Abmessungen
- 6.1 Dia. x 8.77mm
- Anzahl der Kanäle
- 1
- Anzahl der Pins
- 2
- Dunkelstrom max.
- 100nA
- Durchmesser
- 6.1mm
- Empfindlichkeit-Halbwertswinkel
- ±12 °
- Erkennbare Spektren
- IR
- Fallzeit typ.
- 7µs
- Gehäusetyp
- T1.3/4
- Höhe über Panel
- 8.77mm
Produktbeschreibung
Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 7µs
Regelanstiegszeit = 7µs
Anzahl der Kanäle = 1
Dunkelstrom max. = 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = ±12 °
Anzahl der Pins = 2
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = T1.3/4
Abmessungen = 6.1 Dia. x 8.77mm
Kollektorstrom = 39mA
Durchmesser = 6.1mm
Höhe über Panel = 8.77mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Fototransistoren
- GTIN
- 5059045242819
