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onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: QSD123

Produkt-Nr.: P-CC4587

Technische Daten

Abmessungen
6.1 Dia. x 8.77mm
Anzahl der Kanäle
1
Anzahl der Pins
2
Dunkelstrom max.
100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel
±12 °
Erkennbare Spektren
IR
Fallzeit typ.
7µs
Gehäusetyp
T1.3/4
Höhe über Panel
8.77mm
Kollektorstrom
16mA

Produktbeschreibung

Der QSD122, QSD123, QSD124 ist ein Silizium-Fototransistor, der in einem transparenten, schwarzen T-1 3/4-Gehäuse mit Infrarot gekapselt ist.NPN-Silizium-Fototransistor Gehäusetyp: T-1 3/4 Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X. Schmaler Empfangswinkel: 24 °C. Tageslichtfilter Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz Hohe Empfindlichkeit Anwendungen: Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Fototransistoren
GTIN
5059045659174