onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4
Technische Daten
- Abmessungen
- 6.1 Dia. x 8.77mm
- Anzahl der Kanäle
- 1
- Anzahl der Pins
- 2
- Dunkelstrom max.
- 100nA
- Durchmesser
- 6.1mm
- Emitter-Kollektor-Spannung
- 5V
- Empfindlichkeit-Halbwertswinkel
- ±12 °
- Erkennbare Spektren
- IR
- Fallzeit typ.
- 7µs
- Gehäusetyp
- T1.3/4
Produktbeschreibung
Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 7µs
Regelanstiegszeit = 7µs
Anzahl der Kanäle = 1
Dunkelstrom max. = 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = ±12 °
Anzahl der Pins = 2
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = T1.3/4
Abmessungen = 6.1 Dia. x 8.77mm
Kollektorstrom = 16mA
Durchmesser = 6.1mm
Emitter-Kollektor-Spannung = 5V
Der QSD122, QSD123, QSD124 ist ein Silizium-Fototransistor, der in einem transparenten, schwarzen T-1 3/4-Gehäuse mit Infrarot gekapselt ist.NPN-Silizium-Fototransistor Gehäusetyp: T-1 3/4 Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X. Schmaler Empfangswinkel: 24 °C. Tageslichtfilter Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz Hohe Empfindlichkeit Anwendungen: Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Fototransistoren
- GTIN
- 5059045659174
