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onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: QSD123

Produkt-Nr.: P-CC4587

Technische Daten

Abmessungen
6.1 Dia. x 8.77mm
Anzahl der Kanäle
1
Anzahl der Pins
2
Dunkelstrom max.
100nA
Durchmesser
6.1mm
Emitter-Kollektor-Spannung
5V
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel
±12 °
Erkennbare Spektren
IR
Fallzeit typ.
7µs
Gehäusetyp
T1.3/4

Produktbeschreibung

Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 7µs
Regelanstiegszeit = 7µs
Anzahl der Kanäle = 1
Dunkelstrom max. = 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = ±12 °
Anzahl der Pins = 2
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = T1.3/4
Abmessungen = 6.1 Dia. x 8.77mm
Kollektorstrom = 16mA
Durchmesser = 6.1mm
Emitter-Kollektor-Spannung = 5V

Der QSD122, QSD123, QSD124 ist ein Silizium-Fototransistor, der in einem transparenten, schwarzen T-1 3/4-Gehäuse mit Infrarot gekapselt ist.NPN-Silizium-Fototransistor Gehäusetyp: T-1 3/4 Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X. Schmaler Empfangswinkel: 24 °C. Tageslichtfilter Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz Hohe Empfindlichkeit Anwendungen: Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Produktangebot

9,81 €

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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
Fototransistoren
GTIN
5059045659174