onsemi SupreMOS N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 46 A 368 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 46 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 64 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 121 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247
Produktbeschreibung
MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor. Fairchild bringt eine neue Generation von 600 V Super-Junction-MOSFETs hervor: SupreMOS®. Die Kombination aus ihrer niedrigen RDS(ein) und Gesamt-Gatter-Ladung ergibt eine im Vergleich zu den 600 V SuperFET™-MOSFETs von Fairchild um 40 Prozent geringere Leistungszahl. Zusätzlich bietet die SupreMOS-Familie eine niedrige Gatterladung für die gleiche RDS(ein) und sorgt so für eine ausgezeichnete Schaltleistung und einen um 20 Prozent geringeren Schalt- und Leitungsverlust, was zu einer höheren Effizienz führt. Durch diese Funktionen können Netzteile den Anforderungen der ENERGY STAR® 80 PLUS Gold-Klassifizierung für Desktop-PCs und der Platin-Klassifizierung für Server entsprechen.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042264180