onsemi SuperFET N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: onsemi SuperFET N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FCB20N60TM

Produkt-Nr.: P-CZPY2X

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °C
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 20 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Gehäusegröße: D2PAK (TO-263)

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 208 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 75 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.