onsemi SUPERFET III N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 8-Pin H-psof8L.
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 40 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,082 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gehäusegröße
- H-psof8L.
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 8
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
