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onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 37 A 357 W, 3-Pin TO-220

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FCP104N60F

Produkt-Nr.: P-CDD5CB

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+150 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
37 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
104 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-220
Höhe
15.215mm

Produktbeschreibung

SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042660371