onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 37 A 357 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 37 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 104 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Höhe
- 15.215mm
Produktbeschreibung
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
Produktangebot
4,32 €
5,14 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Sichere Zahlung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042660371