onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 145 A 500 W, 7-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

18mΩ

Durchlassspannung (Vf)

4.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

283nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

145A