onsemi SiC Power N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 55 A, 4-Pin TO-247-4

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

55 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,05 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4.3V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Serie

SiC Power