onsemi SiC Power N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 62 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 62 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,05 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.3V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Serie
- SiC Power
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
