onsemi QFET FQA170N06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 170 A 375 W, 3-Pin TO-3PN

Name: onsemi QFET FQA170N06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 170 A 375 W, 3-Pin TO-3PN
Brand: onsemi
Price: 2.22 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FQA170N06

Produkt-Nr.: P-CC5B8J

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 170 A
Drain-Source-Spannung max.: 60 V
Drain-Source-Widerstand max.: 6 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Gehäusegröße: TO-3PN
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

N-Kanal-MOSFET QFET®, über 31 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.