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onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 265 A 395 W, 3-Pin TO-220

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDP025N06

Produkt-Nr.: P-CC8R7F

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+175 °Cmm
Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
265 A
Drain-Source-Spannung max.
60 V
Drain-Source-Widerstand max.
2,5 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
2.5V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 265 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 395 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor

Produktangebot

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042729702