onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 265 A 395 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

265 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Drain-Source-Widerstand max.

2,5 mΩ

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

TO-220

Höhe

15.7mm