onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 167 A 429 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

167 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Drain-Source-Widerstand max.

5,9 mΩ

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

TO-247