onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 41 W, 8-Pin Leistung 33
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 100 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 30 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3,3 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1.2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- Leistung 33
- Montage-Typ
- SMD
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = Leistung 33
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 3,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 41 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042809916
