onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 62 A 260 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 62 A 260 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDB2614

Produkt-Nr.: P-CC4KG3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 62 A
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Montage-Typ: SMD
Pinanzahl: 3

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 27 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 260 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 76 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor