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onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 104 W, 8-Pin PQFN8

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDMS86101

Produkt-Nr.: P-CC6P8N

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
80 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
14 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Höhe
1.05mm
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
8

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 1.05mm

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042611946