onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 104 W, 8-Pin PQFN8
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 80 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 14 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 1.05mm
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 8
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 1.05mm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042611946
