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onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 12 A 310 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDB3632

Produkt-Nr.: P-CDDPGR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
12 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
9 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
84 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Montage-Typ
SMD

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 310 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 84 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042848267