onsemi PNP Transistor 100 V dc 25 A (durchgehend), 40 A (Spitze) HFE:15, SOT-93 3-Pin Einfach
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.2 x 4.9 x 20.35mm
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V dc
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 25 A (durchgehend), 40 A (Spitze)
- Gehäusegröße
- SOT-93
- Gleichstromverstärkung min.
- 15
- Kollektor-Abschaltstrom max.
- 1mA
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 100 V dc
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
- 4 V dc
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 100 V dc
Produktbeschreibung
Der bipolare Leistungstransistor wurde für allgemeine Leistungsverstärker- und Schaltanwendungen entwickelt. TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN), TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) sind ergänzende Geräte.25 A Kollektorstrom Niedriger Leckstrom ICEO = 1,0 mA bei 30 und 60 V Ausgezeichnete DC-Verstärkung hFE = 40 typ. @ 15 A Produkt mit hoher Stromverstärkung - Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059045224617