onsemi PNP Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:200, TO-220AB 3-Pin Einfach

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Basis-Emitter Spannung max.

5 V

Betriebstemperatur min.

-65 °Cmm

Dauer-Kollektorstrom max.

8 A

Gehäusegröße

TO-220AB

Gleichstromverstärkung min.

200

Kollektor-Abschaltstrom max.

0.05mA

Kollektor-Basis-Spannung max.

100 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.

2,5 V

Kollektor-Emitter-Spannung

100 V