onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 14 A 21 W, 8-Pin WDFN

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = WDFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 72 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 21 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 3.15mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung.Kleine Abmessungen (3,3 x 3,3 mm) Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Kapazität NVTFS5116PLWF - Produkt mit benetzbaren Flanken Kompaktes Design Minimiert Leitungsverluste Minimiert Treiberverluste Verbesserte optische Prüfung Geeignet für Automobilanwendungen Anwendungen: Kfz-Lastschalter Motortreiber DC/DC-Schaltausgang