onsemi Oberfläche Transistor PnP -60 V / -2 A, SOT-223 4-Pin
Technische Daten
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 40
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- -5V
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Höhe
- 1.75mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- -80V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- -60V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- -2A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 100MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 800mW
Produktbeschreibung
Dieser bipolare Hochstrom-PNP-Transistor wurde für den Einsatz in Industrie- und Verbraucheranwendungen entwickelt. Das Gerät befindet sich im SOT-223-Gehäuse, das für SMD-Anwendungen mit mittlerer Leistung entwickelt wurde.Das SOT-223-Gehäuse kann mit Welle oder Reflow gelötet werden. Das SOT-223-Gehäuse sorgt für eine waagerechte Montage, was zu einer verbesserten Wärmeleitung führt und eine Visual Inspection von Lötverbindungen ermöglicht. Die geformten Kabel absorbieren thermische Belastungen beim Löten, wodurch die Gefahr einer Beschädigung des Matrizes ausgeschlossen wird NPN-Ergänzung ist PZT651T1 Hoher Strom: 2,0 A Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045256953