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onsemi Oberfläche Transistor NPN 60 V / 6 A, SOT-223 4-Pin

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NSS60601MZ4T1G

Produkt-Nr.: P-CC3TMZ

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)
50
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
6V
Gehäusegröße
SOT-223
Höhe
1.75mm
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
100V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
60V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
6A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
1MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
800mW

Produktbeschreibung

Die Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und hoher Verstärkung macht diesen bipolaren Transistor zu einem idealen Gerät für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, bei denen die Energieeinsparung ein Problem ist.Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Hohe Gleichstromverstärkung Produkt mit hoher Stromverstärkung und Bandbreite Überlegene Verstärkungslinearität Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Minimierte Verlustleistung Sehr niedrige Stromanforderungen Ideal für Hochfrequenz-Designs Minimale Verzerrung Anwendungen: Lineare Spannungsregelung Stromüberwachung für tragbare Geräte Schaltregler Induktiver Lasttreiber (z. B. Motoren, Lüfter, Relais) Lineare Steuerungen

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059045345381