onsemi Oberfläche Transistor NPN 60 V / 6 A, SOT-223 4-Pin
Technische Daten
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 50
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 6V
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Höhe
- 1.75mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 100V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 60V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 6A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 1MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 800mW
Produktbeschreibung
Die Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und hoher Verstärkung macht diesen bipolaren Transistor zu einem idealen Gerät für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, bei denen die Energieeinsparung ein Problem ist.Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Hohe Gleichstromverstärkung Produkt mit hoher Stromverstärkung und Bandbreite Überlegene Verstärkungslinearität Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Minimierte Verlustleistung Sehr niedrige Stromanforderungen Ideal für Hochfrequenz-Designs Minimale Verzerrung Anwendungen: Lineare Spannungsregelung Stromüberwachung für tragbare Geräte Schaltregler Induktiver Lasttreiber (z. B. Motoren, Lüfter, Relais) Lineare Steuerungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045345381