onsemi Oberfläche Digitaler Transistor SOIC 8-Pin

Diese zwei N- und P-Kanal-Verstärkungs-Mode-Leistungstransistoren werden mit einem Advanced Power Trench Prozess hergestellt, der speziell auf die Minimierung des Einschaltwiderstandes und die Aufrechterhaltung einer überlegenen Schaltleistung zugeschnitten wurde. Diese Geräte eignen sich hervorragend für Anwendungen mit niedriger Spannung und Batteriebetrieb, bei denen eine geringe Netzstromunterbrechung und schnelles Schalten erforderlich sind.F1: N-Kanal 7,0 A, 30 V RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = 4,5 V Q2: P-Kanal -5 A, -30 V RDS(ON) = 52 mΩ @ VGS = -10 V RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -4,5 V Schnelle Schaltgeschwindigkeit Hohe Leistung und Belastbarkeit in einem weit verbreiteten SMD-Gehäuse Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.