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onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN + PNP 50 V 100 mA US 6-Pin

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: MUN5313DW1T1G

Produkt-Nr.: P-CGMKNT

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)
80
Gehäusegröße
US
Höhe
1.1mm
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
50V
Länge
2.2mm
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
0.25V
Maximale Verlustleistung (Pd)
385mW
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
100mA

Produktbeschreibung

Diese Serie von digitalen Transistoren wurde als Ersatz für ein einzelnes Gerät und sein externes Widerstandsvorspannungsnetzwerk entwickelt. Der Bias-Widerstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen, einem Reihenbasiswiderstand und einem Basis-Emitter-Widerstand besteht. Die BRT beseitigt diese einzelnen Komponenten durch die Integration in ein einziges Gerät. Durch den Einsatz eines BRT können sowohl die Systemkosten als auch der Platinenplatz reduziert werden.Vereinfacht das Schaltungsdesign Reduziert Platinenplatz Verringert die Anzahl der Komponenten Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059045347965