onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN + PNP 50 V 100 mA US 6-Pin
Technische Daten
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 80
- Gehäusegröße
- US
- Höhe
- 1.1mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 50V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 50V
- Länge
- 2.2mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 0.25V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 385mW
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 100mA
Produktbeschreibung
Diese Serie von digitalen Transistoren wurde als Ersatz für ein einzelnes Gerät und sein externes Widerstandsvorspannungsnetzwerk entwickelt. Der Bias-Widerstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen, einem Reihenbasiswiderstand und einem Basis-Emitter-Widerstand besteht. Die BRT beseitigt diese einzelnen Komponenten durch die Integration in ein einziges Gerät. Durch den Einsatz eines BRT können sowohl die Systemkosten als auch der Platinenplatz reduziert werden.Vereinfacht das Schaltungsdesign Reduziert Platinenplatz Verringert die Anzahl der Komponenten Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045347965