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onsemi Oberfläche Digitaler Transistor N-Kanal 2-Pin

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDB38N30U

Produkt-Nr.: P-CDDKBW

Technische Daten

Automobilstandard
Nein
Breite
9.65 mm
Höhe
4.58mm
Länge
10.67mm
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
313W
Montageart
Oberfläche
Normen/Zulassungen
RoHS
Pinanzahl
2
Polarität des Transistors
N-Kanal

Produktbeschreibung

UniFETTM MOSFET ist eine Hochspannungs-MOSFET-Familie, die auf planarer Streifen- und DMOS-Technologie basiert. Dieser MOSFET ist auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Verbesserung der Schaltleistung und der Lawinenenergie ausgelegt. UniFET Ultra FRFETTM MOSFET hat eine sehr viel überlegene Leistung bei der Wiederherstellung von Dioden im Gehäuse. Seine trr ist weniger als 50nsec und die Umkehrdu/dt-Störfestigkeit ist 20V/nsec, während normale planare MOSFETs über 200nsec bzw. 4.5V/nsec haben. Deshalb kann UniFET Ultra FRFET MOSFET zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit in bestimmten Anwendungen verbessern, die eine Leistungsverbesserung der MOSFET-Gehäusediode erfordern. Diese Gerätefamilie eignet sich zum Schalten von Stromwandleranwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD) TV-Leistung, ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte.RDS(ein) = 120 mΩ (max.) @ VGS = 10 V, ID = 19 A Niedrige Gatterladung ( Typ. 56 nC) Niedrige Crss (Typ. 55 pF) Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059045738749