onsemi Oberfläche Bipolarer Transistor PnP -100 V / -10 A, TO-252 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 30
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 5V dc
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 100V dc
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- -100V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- -10A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 1MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20W
Produktbeschreibung
Der bipolare Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Niederspannungsschaltanwendungen entwickelt. MJD41C (NPN) und MJD42C (PNP) sind komplementäre Geräte.Kabel geformt für SMD-Anwendungen in Kunststoffhülsen (ohne Suffix) Gerade Ausführung in Kunststoffhülsen (-1 Suffix) Ausführung mit Anschlussform in 16-mm-Band und Rolle (T4-Suffix) Elektrisch ähnlich wie die beliebten Serien TIP41 und TIP42 Dies sind bleifreie Gehäuse
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045752783