onsemi NXV65HR Quad, THT MOSFET 650 V / 26 A, 16-Pin APMCA-A16
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 4
- Dauer-Drainstrom max.
- 26 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,082 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 16
- Serie
- NXV65HR
Produktbeschreibung
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = NXV65HR
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 16
Drain-Source-Widerstand max. = 0,082 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 4
Die on Semiconductor integrierte H-Brücke für das Ladegerät in der Serie APM16 für LLC und phasenverschobene DC/DC-Wandler. Es ermöglicht die Entwicklung eines kleinen, effizienten und zuverlässigen Systems für verringerten Fahrzeugkraftstoffverbrauch und CO2-Emissionen. Er verfügt über eine 82-mΩ-SuperFET3-H-Brücke auf Al2O3-DBC-Substrat mit 5-kV-Isolierung in einem kompakten APM16-umspritzten Modul.5 kV/1 s elektrisch isoliertes Substrat für einfache Montage Kompakte Bauweise für niedrigen Gesamtmodulwiderstand Modulserialisierung für vollständige Rückverfolgbarkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
