onsemi NXH020U90MNF2PTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 900 V / 149 A 352 W, 20-Pin F2-VIENNA: Fall 180BZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

900V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

14mΩ

Durchlassspannung (Vf)

6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

546.4nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

18 V

Gehäusegröße

F2-VIENNA: Fall 180BZ

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

149A