onsemi NXH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 191 A 556 W, 36-Pin PIM36

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

6.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

7.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

622nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

PIM36

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

191A