onsemi NXH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 149 A 34.2 W, 34-Pin PIM34

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

10mΩ

Durchlassspannung (Vf)

6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

407nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

PIM34

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

149A