onsemi NXH N/P-Kanal-Kanal Dual, THT MOSFET 1200 V / 800 A, 11-Pin PIM11
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N, P
- Dauer-Drainstrom max.
- 800 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 11
- Serie
- NXH
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 800 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = NXH
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 11
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
