onsemi NXH N-Kanal, Snap-In MOSFET 1200 V / 145 A, 18-Pin PIM18
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 145 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Montage-Typ
- Snap-In
- Pinanzahl
- 18
- Serie
- NXH
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 145 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = NXH
Montage-Typ = Snap-In
Pinanzahl = 18
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
