onsemi NXH N-Kanal Quad MOSFET 1200 V / 129 A, 29-Pin PIM29
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 4
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 129 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Gehäusegröße
- PIM29
- Pinanzahl
- 29
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 129 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = PIM29
Pinanzahl = 29
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 4
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET