onsemi NVTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14 A 21 W, 8-Pin WDFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 72mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 25nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20 V
- Gehäusegröße
- WDFN
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung.Kleine Abmessungen (3,3 x 3,3 mm) Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Kapazität NVTFS5116PLWF - Produkt mit benetzbaren Flanken Kompaktes Design Minimiert Leitungsverluste Minimiert Treiberverluste Verbesserte optische Prüfung Geeignet für Automobilanwendungen Anwendungen: Kfz-Lastschalter Motortreiber DC/DC-Schaltausgang
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045655701