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onsemi NVTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14 A 21 W, 8-Pin WDFN

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NVTFS5116PLTAG

Produkt-Nr.: P-CDDJJZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
72mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
25nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20 V
Gehäusegröße
WDFN
Kabelkanaltyp
Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
14A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung.Kleine Abmessungen (3,3 x 3,3 mm) Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Kapazität NVTFS5116PLWF - Produkt mit benetzbaren Flanken Kompaktes Design Minimiert Leitungsverluste Minimiert Treiberverluste Verbesserte optische Prüfung Geeignet für Automobilanwendungen Anwendungen: Kfz-Lastschalter Motortreiber DC/DC-Schaltausgang

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045655701