onsemi NTH N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 1200 V / 31 A, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 31 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 110 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- NTH
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = NTH
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Transistor-Werkstoff = SiC
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
