onsemi NSS60601MZ4T1G SMD, NPN Transistor 60 V / 6 A 1 MHz, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin

Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 6 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 800 mW
Gleichstromverstärkung min. = 120
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 6.7 x 3.7 x 1.65mm

Die Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und hoher Verstärkung macht diesen bipolaren Transistor zu einem idealen Gerät für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, bei denen die Energieeinsparung ein Problem ist.Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Hohe Gleichstromverstärkung Produkt mit hoher Stromverstärkung und Bandbreite Überlegene Verstärkungslinearität Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Minimierte Verlustleistung Sehr niedrige Stromanforderungen Ideal für Hochfrequenz-Designs Minimale Verzerrung Anwendungen: Lineare Spannungsregelung Stromüberwachung für tragbare Geräte Schaltregler Induktiver Lasttreiber (z. B. Motoren, Lüfter, Relais) Lineare Steuerungen